Collaboration entre STM et Soitec sur les substrats de carbure de silicium. Les actions se redressent dans le sillage de la hausse de +4,2% du Nasdaq.

Economie & Finance

Nouvelle phase de la collaboration entre STMicroelectronics et Soitec sur les substrats en carbure de silicium (SiC). Attend de l’entreprise

L’entreprise italo-française de semi-conducteurs qualifiera la technologie de substrat SiC de Soitec, une entreprise française qui produit des matériaux semi-conducteurs innovants, au cours des 18 prochains mois.

Le passage des tranches de 150 à 200 mm permettra une augmentation substantielle de la capacité de production.

Objectif : l’adoption par STM de la technologie SmartSiC de Soitec pour la production future de substrats de 200 mm qui alimenteront ses activités de fabrication de dispositifs et de modules, avec une production en volume prévue à moyen terme. Le carbure de silicium est un matériau semi-conducteur composé très innovant dont les propriétés intrinsèques permettent d’atteindre des niveaux de performance et d’efficacité supérieurs à ceux du silicium dans des applications énergétiques stratégiques et en forte croissance dans les domaines de la mobilité électrique et des processus industriels. Le passage des plaquettes de 150 mm à 200 mm permettra une augmentation substantielle de la capacité de production, en doublant presque la surface utilisable pour la production de circuits intégrés et en multipliant par 1,8-1,9 le nombre de puces pouvant être fabriquées par plaquette.

Avantages pour les clients du secteur automobile et industriel

” Le passage aux wafers SiC de 200 mm apportera des avantages substantiels à nos clients des secteurs automobile et industriel qui accélèrent la transition vers l’électrification de leurs systèmes et produits “, commente Marco Monti, président de l’Automotive and Discrete Group chez STMicroelectronics. L’objectif de la collaboration technologique avec Soitec est de continuer à améliorer les rendements et la qualité de notre production”, a ajouté M. Monti. La technologie très avancée de SmartSiC, qui adapte son procédé unique SmartCut aux semi-conducteurs en carbure de silicium, “jouera un rôle clé dans l’accélération de leur adoption”, a souligné Bernard Aspar, directeur général de Soitec.

Le rallye du Nasdaq fait grimper STM en flèche à Milan.

A Piazza Affari, l’action STM a pris la tête du FTSE Mib avec +3,45% à 37,29 € avec l’ensemble du secteur européen des hautes technologies (+2,46% le Stoxx sectoriel) dans le sillage de la forte hausse (+4,2%) du Nasdaq hier, 30 novembre. L’action n’a pas été affectée par le fait que, selon Bloomberg, Foxconn, la plus grande usine d’assemblage d’iPhone, continue de maintenir des restrictions alors même que la ville de Zhengzhou a levé mardi le verrouillage des principales zones urbaines et reste en circuit fermé pour restreindre les déplacements des travailleurs sur le campus, ce qui pourrait compliquer les efforts visant à reprendre la pleine production.

Les travailleurs sont confinés dans leurs dortoirs ou leurs usines afin de minimiser le nombre de personnes avec lesquelles ils entrent en contact, dans l’espoir de contenir la propagation du virus. Les autorités chinoises discutent en effet de l’introduction d’un quatrième vaccin Covid-19, et le plus haut responsable du pays a assoupli sa position mercredi, en déclarant : “À mesure que la variante Omicron devient moins pathogène, que davantage de personnes se font vacciner et que notre expérience de la prévention du Covid s’accumule, notre lutte contre la pandémie entre dans une nouvelle phase. ()